霍爾效應測試儀霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法。

霍爾效應測試儀產(chǎn)品簡介：

霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法。利用霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量，變溫霍爾實驗儀可以用來確定半導體的導電類型和載流子濃度。通過測量霍爾系數(shù)與電導率溫度的變化，可以確定半導體的禁帶寬度、雜質(zhì)電離能及遷移率的溫度系數(shù)等基本參數(shù)。

霍爾效應測試儀采用現(xiàn)代電子技術和計算機數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，對霍爾樣品鉆弱場條件下進行變溫霍爾系數(shù)和電導率的測量，來確定半導體材料的各種性質(zhì)。

霍爾效應測試儀技術參數(shù)：

電  磁  鐵：0-300mT可調(diào)

勵磁電源：0-可調(diào)，可自動換向

穩(wěn)  定  性：<±0.1%

數(shù)字特斯拉計：0-2000mT三位半數(shù)字顯示

恒流源輸出：1mA

穩(wěn)  定  性：±0.1%

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測量分辨率：1uV

溫度變化測量范圍：80-400K

工作電源：AC 220V;50Hz

功率范圍：200W

霍爾效應測試儀實驗裝置：

變溫霍爾測試儀主要是由電磁鐵、可自動換向穩(wěn)流源、恒溫器、測溫控溫系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等。